3 µm proces - 3 µm process

Výroba polovodičových součástek
MOSFET škálování ( procesní uzly )
0 10 um  - 1971 00 6 um  - 1974 00 3 um  - 1977   1,5 um  - 1981 00 1 um  - 1984 800 nm  - 1987 600 nm  - 1990 350 nm  - 1993 250 nm  - 1996 180 nm  - 1999 130 nm  - 2001 0 90 nm  - 2003 0 65 nm  - 2005 0 45 nm  - 2007 0 32 nm  - 2009 0 22 nm  - 2012 0 14 nm  - 2014 0 10 nm  - 2016 00 7 nm  > 2017 00 5 nm  > 2018
Budoucnost 00 3 nm  > 2020 00 2 nm  > 2020 00 1,4 nm  > 2020
Poloviční uzly Hustota CMOS Zařízení ( více bran ) Moorův zákon Polovodič Průmysl Nanoelektronika
proti t E

3  um proces je úroveň MOSFET polovodičové technologie procesu , který byl dosažen kolem roku 1977, od předních polovodičových firem, jako je Intel .

Výrobky s výrobním procesem 3 μm

• Intel 8085 procesoru byla zahájena v roce 1976 byl vyroben s použitím 3,2 um NMOS ( HMO proces).
• Intel 8086 procesoru byla zahájena v roce 1978 byl vyroben s použitím 3,2 um NMOS proces (HMO).
• Paměťový čip Hitachi 4 kbit HM6147 SRAM , uvedený na trh v roce 1978, představil dvoujamkový proces CMOS o velikosti 3 μm.  
• Intel 8088 procesoru byla zahájena v roce 1979 byl vyroben s použitím 3,2 um NMOS proces (HMO).
• CPU Motorola 68000 (MC68000), uvedený na trh v roce 1979, byl původně vyroben pomocí procesu HMOS s velikostí funkcí 3,5 μm.
• ARM1 byla zahájena v roce 1985 a vyrábí na 3   procesu um.

Reference

Tento článek týkající se nanotechnologií je útržek . Wikipedii můžete pomoci rozšířením . proti t E