TRAMVAJ - T-RAM

Typy paměti počítače
Nestálý
RAM
Historický
Energeticky nezávislé
ROM
NVRAM
Počáteční fáze NVRAM
Magnetický
Optický
Ve vývoji
Historický

Thyristor RAM ( T-RAM ) je nový (2009) typ paměti s náhodným přístupem, který vynalezla a vyvinula společnost T-RAM Semiconductor , která se odchyluje od obvyklých návrhů paměťových buněk a kombinuje silné stránky DRAM a SRAM : vysokou hustotu a vysoká rychlost. Tato technologie, která využívá elektrické vlastnosti známé jako záporný diferenciální odpor a nazývá se tenký kapacitně spojený tyristor, se používá k vytvoření paměťových buněk schopných velmi vysokých hustot balení. Díky tomu je paměť vysoce škálovatelná a již má hustotu úložiště, která je několikanásobně vyšší, než je tomu u konvenčních šest tranzistorových pamětí SRAM. Očekávalo se, že příští generace paměti T-RAM bude mít stejnou hustotu jako DRAM.

Tato technologie využívá elektrické vlastnosti známé jako záporný diferenciální rezistor a je charakterizována inovativním způsobem, jakým jsou zabudovány její paměťové buňky, kombinující efektivitu DRAM z hlediska prostoru s efektem SRAM z hlediska rychlosti. Velmi podobný současným 6T-SRAM nebo pamětím SRAM se 6 buňkovými tranzistory, je podstatně odlišný, protože SRAM západka CMOS, skládající se ze 4 ze 6 tranzistorů každé buňky, je nahrazena bipolární západkou PNP -NPN jednoho tyristoru . Výsledkem je výrazné zmenšení oblasti obsazené každou buňkou, čímž se získá vysoce škálovatelná paměť, která již dosáhla hustoty úložiště několikrát vyšší než aktuální SRAM.

Thyristor-RAM poskytuje nejlepší poměr hustoty a výkonu mezi různými integrovanými paměťmi, který odpovídá výkonu paměti SRAM, ale umožňuje 2 až 3krát vyšší hustotu úložiště a nižší spotřebu energie. Očekává se, že nová generace paměti T-RAM bude mít stejnou hustotu úložiště jako DRAM.

Související zboží

Reference

externí odkazy